美国专利(12/774,465)“在器件上生长异质外延单晶体或大粒径半导体薄膜的方法”(methods of growing heteroepitaxial single crystal or large grained semiconductor films and devices thereon)揭示了改良的气液固薄膜生长技术，该技术首次实现了采用硅、锗和氮化镓等各种材料在廉价衬底上生长的高品质半导体薄膜的低温沉积。
具有成本效益、类似纳米线的薄膜生长工艺，其中包括低共熔合金，非常适合大规模工业应用，可采用当前用于多个行业的电子束和化学气相沉积等普通沉积工艺实现。
-该专利针对已故的美国技术创新奖得主praveen chaudhari博士发明的技术颁发，涉及的技术可应用于薄膜太阳能电池、led、薄膜晶体管(tft)、场效应晶体管(fet)、太阳能逆变器和纳米设备等多个电子行业
纽约州布赖尔克利夫马诺2015年4月23日电 /美通社/ -- solar-tectic llc （简称st）今天宣布，美国专利商标局(uspto)已向公司的多项技术颁发了一项主要专利（50多个专利申请范围），其中包括在普通玻璃等廉价衬底上生长单晶体、高度织构或大粒径半导体薄膜的技术。这些技术是由已故的1995年美国国家技术奖得主praveen chaudhari博士发明，可应用于太阳能、显示器和led等多个行业。http://tenghao88888.51dzw.com/
