8月18日消息，据媒体报道，英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的nand闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。
两家公司已经向客户发送样品，预计将于今年底投入量产。新型nand闪存芯片将采用25纳米工艺生产。与每单元存储2位信息的nand芯片相比，存储容量相同的新型芯片的尺寸减少约20%。美光nand战略营销主管凯文·基尔巴克(kevinkilbuck)说，“我们在增加存储密度的同时，能够降低制造成本，增加存储容量。”
新nand芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64g位(相当于8gb)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的nand闪存芯片。
两家公司称，使用nand闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。
但是，存储密度的提高是有代价的。基尔巴克说，“新型芯片写入信息的次数有所减少。”
