26nm的NAND闪存开始量产

该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64gb的nand生产，采用现有的32gb产品进行叠层封装完成。

海力士称它的芯片是26nm的一种，有人称20nm级产品。三星是27nm的nand闪存，im flash是25nm及sandisk/toshiba是24nm。

韩国海力士声称，在其m11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64gb的nand闪存量产。