diodes公司推出采用超小型 sot963封装的双极晶体管 (bjt)、mosfet和瞬态抑制二极管 (tvs) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。
diodes sot963的占板面积仅有0.7 mm2，比sot723封装少30%，比sot563封装少60%，适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度，让diodes 的 sot963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。
现阶段推出的sot963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双mosfet 组合及1个4线配置瞬态电压抑制器阵列dup412vp5。这些器件的引脚封装支持手焊及目测，无需x光检测。
采用sot963封装的双晶体管包括双npn、双pnp和互补npn-pnp配对，额定集电极-发射极电压 (vceo) 为 40v 和45v。双n 型 、双p型及互补 mosfet 组件的额定崩溃电压 (bvdss) 为20v，额定导通电阻 (rds(on)) 都在1.5v 下测量。
