韩国海力士(hynix)半导体和三星(samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的nand闪存。据《chosun ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32gb nand闪存。
lazard capital markets的分析师daniel amir在最近发表的一份报告中表示：“我们听说三星将在2008年末开始生产3-bit per cell nand时感到很意外。”
“直到现在，该技术一直只有sandisk与东芝(toshiba)拥有，”他说，“但是，三星试图生产3-bit per cell nand，给sandisk对于该技术的ip构成挑战。虽然我们不知道未来情形如何变化，但我们认为这可能对sandisk不利。”
