卓芯微电子(innovasemi)推出双p沟道增强型场效应管产品rcr1565fb。p沟道增强型场效应管采用高密度dmos生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8v的栅极电压下仍可正常开启。
rcr1565fb主要应用于基于ti平台的手机设计方案的充电线路，其基本电路如下图所示： 电源|稳压器管理器件通过控制栅极电压，达到控制两颗pmos的开关频率的目的，pmos中的寄生二极管可以防止vbat电流倒灌。 rcr1565fb具有以下特点： 极小的导通电阻使器件在工作状态下产生极少的功率耗散，提高了能效； 采用dfn2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，节约pcb占板面积，其0.55mm的厚度更是有利于超薄机型设计； 在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止pcb热损伤，提升整机安全性。电源管理器件通过控制栅极电压，达到控制两颗pmos的开关频率的目的，pmos中的寄生二极管可以防止vbat电流倒灌。 rcr1565fb具有以下特点： 极小的导通电阻使器件在工作状态下产生极少的功率耗散，提高了能效； 采用dfn2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，节约pcb占板面积，其0.55mm的厚度更是有利于超薄机型设计； 在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止pcb热损伤，提升整机安全性。
