台积电eLL超低漏电流工艺

台积电的ell超低漏电流工艺是其嵌入式闪存(embflash)技术最新的改良版,相比之前的解决方案,该工艺带来更低的功耗-待机电流降低50-70%,运行电流降低30%。

energy micro的全球销售副总裁:“efm32 mcu产品的低功耗性能使其从竞争产品中脱颖而出。过渡到带浮点单元的arm cortex-m4 这一32位的dsp cpu 内核是很自然的举动,同时我们的低功耗gecko技术也受益于台积电有着最好低功耗性能的最新工艺。”

台积电欧洲总裁:“energy micro的低功耗mcu产品有着出色的低功耗特性和产品性能。gecko技术与台积电的超低漏电流嵌入式闪存处理工艺的结合,使得energy micro的产品的功耗显著降低,从而进一步增强energy micro的竞争地位。”

efm32 cortex-m4微控制器产品具有浮点运算单元。

节能微控器和无线射频供应商energy micro宣布其一直与台积电紧密合作来验证台积电的ell(超低漏电流工艺)技术给其新一代的低功耗cortex-m 微控制器带来的好处。和台积电的密切配合,使energy micro可以很早接触这一最新的工业技术,从而进一步增强其mcu产品性能。 http://www.szqsdkj.com

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发布日期:2019年07月03日  所属分类:新闻动态