80 v增强型单片式半桥氮化镓晶体管(epc2105)。透过集成两个egan®功率场效应晶体管成为单一器件可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙，从而提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。epc2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 v直接转至1 v系统负载的高效单级转换的应用。
在epc2105半桥元件内每一个器件的额定电压是80 v。上面的场效应晶体管的导通电阻(rds(on))典型值是10 mΩ，下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是2.3 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一，使得器件在具有高vin/vout比的降压转换器中可实现最佳直流-直流转换效率。epc2105使用晶片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
开发板
epc9041是一块2英寸x1.5英寸的开发板，包含一个epc2105集成半桥元件，内含德州仪器栅极驱动器(lm5113)、电源及旁路电容。电路板的版图设计可实现最佳开关性能并设有多个探孔，使用户容易测量简单波形及计算效率。
价格及供货详情
批量购买1000个epc2105单片式半桥元件的单价为$7.17美元。http://szriley.51dzw.com/
epc2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 v转至12 v并在300khz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 a输出电流时实现高达接近98%效率，以及推动48 v转至1 v并在300khz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 a输出电流时实现84%效率。
