3款采用紧凑型powerpak so-8l封装的n沟道器件已加入vishay intertechnology公司的600v和650v e系列功率mosfet的阵容。
siliconix 600v sihj8n60e和650v sihj6n65e与sihj7n65e可以为采用to-252（dpak）封装的mosfet提供节省空间的替代品，降低照明、工业、电信、计算和消费类应用的封装电感。
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这些器件完全符合rohs指令的要求，无卤素，无铅（pb）。sihj8n60e、sihj6n65e和sihj7n65e的尺寸仅为5mm x 6mm，占用的板空间和高度仅为采用to-252（dpak）封装的器件的一半。powerpak so-8l的鸥翼引线结构可以提升板级可靠性。
sihj8n60e、sihj6n65e和sihj7n65e基于公司的e系列超结技术，具有低至0.52ω（@ 10 v）的最大导通电阻、低至17 nc的超低栅极电荷和适于功率转换应用中mosfet的关键品质因数（fom）。
这些数值会转换成低传导和开关损耗，从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向hid与led照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。
