以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本，但制程愈趋于先进，研发难度提高，投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变，sk海力士(sk hynix)期盼借由技术创新开拓全球市场。
据韩媒每日经济报导，sk海力士计划在2017年下半提高10纳米级dram生产比例，并持续增加14纳米nand flash产量，以取得更具优势的成本竞争力，提高事业获利性。
sk海力士将持续以大规模研发投资提高技术竞争力。
资通讯技术发达带动存储器需求成长，移动装置用dram及nand flash产品的容量持续增加，用于大数据及云端资料中心的服务器dram、固态硬碟(ssd)需求激增，人工智能(ai)、深度学习(deep learning)的技术发展更是带动存储器需求扩大的市场利基。
2017年1月sk海力士推出lpddr4x，是全球最高容量的超低功耗移动装置dram;4月开发出超高速绘图dram graphics ddr6(gddr6)，可作为ai、虚拟实境(vr)、自驾车、4k以上高像素显示器的存储器解决方案。
在nand flash部分，2017年sk海力士成功开发72层3d nand flash之后，已在7月启动量产，比原本48层产品生产力提高30%，芯片内部运作速度提高两倍，读写性能提高20%，并且推出搭载自主研发控制器的移动装置用emmc产品及pci介面固态硬碟，以高性能、高可靠度的3d nand flash解决方案强化事业竞争力。
sk海力士为了取得控制器技术，2012年购并美国link a media devices与义大利ideaflash s.r.l.，2013年购并台厂银灿科技控制器事业部，2014年购并softeq development fllc。2012年在韩国京畿道盆唐成立flash解决方案设计中心，2013年在韩国科学技术院(kaist)校园内成立储存媒体解决方案中心。
在相关投资方面，2016年sk海力士执行6.29兆韩元(约56亿美元)投资计划，2017年投资规模上看7兆韩元，并且计划在2019年6月底前投资2.2兆韩元于清州兴建nand flash工厂。研发经费投入2016年为2.10兆韩元，占营收12.2%。
sk海力士表示，在变化多端的半导体市场与竞争结构中，唯有透过大胆进行研发投资加强技术竞争力，才能维持市场领导地位。
来源：digitimes
