格罗方德在其技术研讨会上讨论了他们在euv上的第一步动作，即在没有保护膜的情况下使用euv制造触点和过孔。触点和通孔的开口面积较小(约百分之几)，因此落在光罩上的粒子不太可能导致印刷缺陷。在没有保护膜的情况下生产触点和过孔可以最大限度地提高吞吐量，并且开始使用euv时无需使用保护膜。虽然目前还没有足够的数据能够确定这种生产方式能够达到可以接受的良率，但是格罗方德认为可以。
台积电已经在私下讨论将euv引入第二代7nm工艺的可能性。在日前举办的2017年q4法说会上，台积电透露，其极紫外光光刻机(extreme ultraviolet lithography: ，简称euv光刻机)产能已经取得了较大的进步，目前已经将其电源功率提高到160w，助力7nm和5nm制造，而250瓦euv也已经安装到位。
相对来说，7c比较容易实现，不会造成面积缩小，所以不需要重新设计，7c中使用5个euv光刻层替换15个光学光刻层，从而减少了周期时间，epe和来改善循环时间，epe和电气分布特性也得到了改善。
为了实施7c工艺，需要以下条件：
高吞吐能力的euv工具-在某种程度上，确定的功耗和吞吐量是不变的。asml的机器有多个旋钮可以调整吞吐能力，他们现在正在尽最大努力提高吞吐能力和机器运行时间。他们现在出货的nxe3400b应该满足这个要求。
大于90%的正常运行时间-在12月份的iedm会议上，英特尔表示他们的euv机器的正常运行时间只有75%左右。我采访光刻技术专家时着重提出了这个问题。asml应该有计划改善正常运行时间，nxe3400b的正常运行时间预计好不少。
来源：与非网
