今年以来，我国在存储芯片领域接连传来好消息。近日，江苏华存发布了我国第一颗国研国造的嵌入式40纳米工规级别存储控制芯片及应用存储解决方案：hc5001，这意味着我国在中高阶emmc存储领域有了第一颗“中国芯”，并实现了量产。此次发布的主控芯片兼具高兼容性和高稳定度，支持第5.1版内嵌式存储器标淮(emmc5.1)、支持立体结构闪存材料(3d tlc nand flash)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法（ftl）、支持高速闪存接口（onfi3.2/toggie2.0）、支持高可靠度低密度奇偶校验码纠错验算法(ldpc)，以及40nm工艺制程满足了高效能低功耗工规级别emmc嵌入式存储装置需求。
8月7日，紫光旗下长江存储公开其突破性技术xtackingtm，且该技术已成功应用于第二代3dnand产品的开发中，预计于2019年进入量产阶段。长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维nand闪存芯片。据紫光集团联席总裁刁石京透露，长江存储32层3dnand闪存芯片将于今年第四季度量产，而其64层3dnand闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，并计划于2019年实现量产。
存储芯片目前是暴利性行业，我国亟待打破国际巨头在这一领域的垄断地位。据相关财报显示，美光科技第四财季营收为84.4亿美元，上年同期为61.38亿美元，同比增长38%；归属于美光科技的净利润为43.25亿美元，上年同期为23.68亿美元，同比增长82.6%。相信随着各方面持续努力，未来我国在全球存储芯片产业中的地位和实力将有明显提升。 http://wobo666.51dzw.com/
据相关报道，明年一季度，时代芯存即将实现量产，年销售额预计可达45亿元。据悉，时代芯存半导体是第四代存储器领域全球屈指可数具备自主研发和生产能力的半导体企业。“第四代存储器读取速度更快、抗辐射，能替代现有的大部分存储器。”时代芯存总经理邢猛说。项目全面建成后将达到年产10万片12英寸相变存储器的产能。
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