（华强电子世界网独家报道） 年后开市以来，存储芯片市场已经引起了业者的密切关注。尽管nand还处于一动不动的状态，但dram市场早已暗流汹涌，特别是ddr2合约价问世以来，引起了市场纷纷侧目，目前，市场上ddr2额外受到关注，其价格也有逐日攀升之势。
农历年后，ddr2缺货效应攀升，根据最新公布的 2月上旬合约价，ddr2调涨15-18%，ddr2 256mb由 1月下旬17～18.75美元上涨至20～21.5美元；512mb则由34～37.5美元上涨至40～43美元。而ddr1缺货虽较不明显，但最新合约价也上扬9-10%。受到价格大幅弹升激励，dram股日前开盘后展现超强气势，据悉，包括力晶、南科、茂德等dram模块股都一度亮灯涨停，尤其以ddr2布局较深的南科股价表现最强。
根据dramexchange研究报告，在三星持续转进nand flash，及在2005年第四季，2006年第一季，持续拉高 mobile dram and graphic memory投片比例，使三星 commodity dram产出自去年12月中旬起，就开始明显下降。而一向以三星为主要dram供货商，则受到直接供货量减少，因此对其他dram厂下单大幅提高。但整个市场依然处于供货不畅的状态。
目前，ddr2受到外围现货价格持续上涨的带动，国内ddr2价格逐日攀升。在现货市场，受到货源紧张的影响，ddr2也有向上攀高之势。据了解，hynix 512m ddrii533模块价格涨至￥350左右。
经销商认为，ddr2目前虽频频缺货，但在 ddr2产能逐渐开出下，加上需求仍处于传统淡季，预期 ddr2缺货将逐渐获得缓解。另预计，ddr2将于今年第二季度取代ddr成为主流产品。
