（华强电子世界网独家报道） 由于今年nand flash在存储芯片市场的光芒远远盖过了dram，内存厂商纷纷将目光锁定在nand flash身上。内存厂商加大力度投资nand的事件也屡见不鲜，最近业内又传出英特尔、美光宣布合资兴建nand厂的消息。
对于明年nand市场，业内仍然十分看好，不久前拓墣产业研究所的一份报告中还有表格显示：预期2006年的前四大厂商新增的产出量，皆仍有100%以上的成长。在业内纷纷将产能往nand身上转的时候，我们也不得不为nand产能因此而过剩担忧。
在今年nand flash市场形势一片大好的刺激下，已经引发了半导体业的争相投产，除了原本就在nand flash领域执牛耳的三星、东芝外，美光、海力士、力晶及中芯等半导体大厂都将部分dram产能转移生产nand flash。 其次infineon和hynix/stmicroelectronics等新厂商也积极投产，业内预计其出货量有441%和332%的惊人成长。
因此，当英特尔和美光宣布合资兴建nand厂之后，引起了部分业者担忧，这两大巨头的联手，将nand的常能将又提升一个台阶，到时，nand市场能否保持供需平衡，这是一个大大的问号。
不过，新产能能否在2006年发生效用还很难说，尽管国际大厂的计划已经是扩大nand产能，但是新产能的量产出产品按照常规推算，要到2007年甚至更晚，因此，这批大厂的扩产言论，对明年nand flash市场行情将不会产生抑制压力，业者大可不必过渡悲观。
但是不可忽视的是，因关抑制压力不在，但是nand flash市场隐忧犹在。业内人士认为，“过量的产能已经并将长期影响nand的价格。以去年第三季度为例，当st和hynix开始合作生产基于0.12微米工艺的512mb nand时，nand的价格马上在2004年7、8月下跌了30%。今年第二季度，美光扩充了产能，再加上第二季度的淡季效应，使nand的价格又下跌了30%。”
因此，当产能扩大的言论铺天盖地而来的时候，市场稳定势必受到影响，nand价格有可能出现起伏不定的情况，建议经销商做好心里准备。
