（华强电子世界网独家报道） 日前有消息指出，美光新的nand型flash产品，本月可望开始顺利供货。因美光此次推出的是采用最新制程量产的2g产品，卡片读取速度将较三星快上1倍，完全符合flash读取快速的要求，因此，业者认为，市场上三星的大容量产品将受到强势冲击。
据了解，美光新推出的nand型flash芯片组，容量高达2g，该项产品采用90奈米制程生产，生产成本上将更具优势，业内很快就将此产品与三星产品对比，由于闪存最重要的就是卡片读取速度，美光的该产品卡片读取速度比三星整整快上一倍，这将是美光该产品进入市场最为抢眼的武器。
很显然，三星的高容量产品受到了冲击。这让人想起了上周网站semiconductor reporter引述三星内存部门总裁chang-gyu hwang的话：“由于进程技术日趋成熟，nand闪存价格将会每年下降40%。”该言论发出以后，现货市场2gb、4gb、8gb等大容量闪存价格出现连续下跌的情况。当时现货市场经销商分析称：“上游货源报价方面价格调低，现货价格也就顺势降低。”
现在看来，三星方面调低报价与美光极具优势的2gb产品开始大量供货应该不是巧合，这再次印证了今年闪存市场竞争将出现殊死搏斗的言论。
今年年初mp3市场火热，引发了闪存市场极大的需求，因此吸引了几乎所有dram供应商的加入到nand战壕，他们竟相采用最先进的工艺，提升存储密度，并计划在2005年大幅提升产量，市场份额竞争愈演愈烈。
在nand市场，isuppli的分析师nam hyung kim认为，东芝和三星将继续主导该市场，美光等新厂商将获得可观的市场份额，而hynix将夺走瑞萨科技的相当部分市场。不管怎么样，无论厂商之间怎么竞争，出现优势性的极具竞争力的产品，出现“百家争鸣”的市场局面，是业者最愿意看到的情况。
