nand型快閃記憶體(flash)供應端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴重不足主因，除英特爾(intel)為搶進50奈米製程，決定既有採用78奈米製程所生產nand flash將暫不供應下游客戶端，還有三星電子(samsung electronics)及海力士(hynix)亦為強化整體競爭力，被迫將產能加速轉進至50奈米主流製程，加上為供應蘋果(apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分採70奈米製程產能，在產能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業界紛預期2007年下半全球nand flash市場將出現嚴重供不應求。
記憶體業者表示，根據來自英特爾消息指出，由於英特爾及美光(micron)所合組im flash在78奈米製程技術上，其生產成本競爭力上無法與三星電子、東芝(toshiba)及海力士等競爭者相抗衡，因此，決定現有採用78奈米製程所生產nand flash，暫時停止賣到下游客戶，僅供應英特爾或美光內部自行使用。
事實上，im flash為能趕上競爭對手，近期已積極調撥產能搶進50奈米製程，希望未來能藉由50奈米製程，得以與三星、東芝及海力士平起平坐，不過，值此新製程轉換之際，亦將造成nand flash市場在短期內將失去許多來自im flash的供應量。
至於三星及海力士同樣面臨產能調撥、造成供給量不足問題，記憶體業者指出，三星及海力士為能在未來nand flash市場更具有競爭優勢，近期均調撥相當多產能至50奈米製程，但截至目前採用50奈米製程良率仍不佳，使得產出量未如預期，加上為滿足蘋果下半年nand flash訂單龐大需求，必須保留部分70奈米製程產能，在產能兩頭燒情況下，更使得nand flash供應量出現明顯不足。
此外，由於蘋果即將推出iphone及高階ipod，nand flash市場需求大增，國際nand flash大廠紛展開先進製程競賽，導入50奈米製程世代，但因製程轉換造成出貨量不足，加上自第3季起進入消費性電子傳統旺季，包括mp3播放器、快閃記憶卡、隨身碟等買氣紛上揚，在市場需求增溫、供應端卻出問題情況下，nand flash供需落差遂更加嚴重。
記憶體業者表示，蘋果在下半年需求最多的nand flash為容量4gb產品，而採用70奈米製程投產4gb產品最符合經濟效益，因此，三星及海力士等大型nand flash製造商，仍必須將適當產能保留在70奈米製程，但這亦造成整體nand flash供應量明顯降低。整體而言，進入2007年下半後，全球nand flash市場出現嚴重供不應求恐將難免。
