全球NAND Flash供貨恐将拉警报

nand型快閃記憶體(flash)供應端下半年恐將拉警報,造成供貨嚴重不足主因,除英特爾(intel)為搶進50奈米製程,決定既有採用78奈米製程所生產nand flash將暫不供應下游客戶端,還有三星電子(samsung electronics)及海力士(hynix)亦為強化整體競爭力,被迫將產能加速轉進至50奈米主流製程,加上為供應蘋果(apple)下半年龐大訂單,還必須挪出部分採70奈米製程產能,在產能兩頭燒情況下,亦無力滿足下游客戶訂單需求,因此,業界紛預期2007年下半全球nand flash市場將出現嚴重供不應求。

  記憶體業者表示,根據來自英特爾消息指出,由於英特爾及美光(micron)所合組im flash在78奈米製程技術上,其生產成本競爭力上無法與三星電子、東芝(toshiba)及海力士等競爭者相抗衡,因此,決定現有採用78奈米製程所生產nand flash,暫時停止賣到下游客戶,僅供應英特爾或美光內部自行使用。

  事實上,im flash為能趕上競爭對手,近期已積極調撥產能搶進50奈米製程,希望未來能藉由50奈米製程,得以與三星、東芝及海力士平起平坐,不過,值此新製程轉換之際,亦將造成nand flash市場在短期內將失去許多來自im flash的供應量。

  至於三星及海力士同樣面臨產能調撥、造成供給量不足問題,記憶體業者指出,三星及海力士為能在未來nand flash市場更具有競爭優勢,近期均調撥相當多產能至50奈米製程,但截至目前採用50奈米製程良率仍不佳,使得產出量未如預期,加上為滿足蘋果下半年nand flash訂單龐大需求,必須保留部分70奈米製程產能,在產能兩頭燒情況下,更使得nand flash供應量出現明顯不足。

  此外,由於蘋果即將推出iphone及高階ipod,nand flash市場需求大增,國際nand flash大廠紛展開先進製程競賽,導入50奈米製程世代,但因製程轉換造成出貨量不足,加上自第3季起進入消費性電子傳統旺季,包括mp3播放器、快閃記憶卡、隨身碟等買氣紛上揚,在市場需求增溫、供應端卻出問題情況下,nand flash供需落差遂更加嚴重。

  記憶體業者表示,蘋果在下半年需求最多的nand flash為容量4gb產品,而採用70奈米製程投產4gb產品最符合經濟效益,因此,三星及海力士等大型nand flash製造商,仍必須將適當產能保留在70奈米製程,但這亦造成整體nand flash供應量明顯降低。整體而言,進入2007年下半後,全球nand flash市場出現嚴重供不應求恐將難免。

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发布日期:2019年07月03日  所属分类:新闻动态