東芝發表行動電話用nand flash新產品，預計8月開始樣品出貨。新產品之特色為將儲存控制程式的單層單元(single-level cell)與儲存音樂等資料的多層單元(multi-level cell)配置於單晶片上。
該產品名稱為「mobilelba-nand」。記憶體容量中單層單元部份與多層單元部份之分配，可由客戶自由設定。因此，可配合因行動電話而異的控制程式容量，設定單層單元容量，剩餘之記憶體容量即可做為紀錄音樂等資料的多層單元。由於一晶片中整合兩種功能，晶片封裝面積得以縮小，此外內藏同時控制單層與多層單元之控制器。較現有產品電壓降低約4成之多。
在行動電話之相機像素持續提高、配備音樂播放功能等高功能發展下，對相關半導體的省電性要求日益強烈，該產品正符合此需求。容量方面從2gb到32gb，共計5款。出貨時將與其他記憶體一起封裝，例如512m的「low powersdram」與2g新產品一起封裝的話，樣品價格為2500日圓。新產品預計10月開始量產，一年以內擴大至月產百萬顆之規模。
