1．微小型化
迫于电子产品向更小、更轻、更灵巧的方向发展，emi对策元件继续向微小型化发展，如片式磁珠和片式电容器的主流封装尺寸已经逐步从1608（0603）过渡到1005（0402）；又如日本村田新发布的3绕组共模扼流圈的尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm；在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸内封装了两个共模扼流圈阵列。
2．高频化
目前，电子产品向高频化发展的趋势十分明显，如计算机的时钟频率提高到几百兆赫乃至千兆赫；数字无线传输的频率也达到2ghz以上；无绳电话的频率从45mhz提高到2400mhz等，因而由高次谐波引起的噪声也相应出现在更高的频率范围，emi对策元件也随着向高频化发展，例如，叠层型片式磁珠的抑制频率提高到ghz范围。国内南虹、顺络、麦捷以及国外的murata、tdk、taiyo－yuden、aem、vishay等公司都已推出性能优良的ghz片式磁珠，其抑制噪声频率在600mhz～3ghz，满足了高速数字电路的要求；村田的3端片式穿心陶瓷电容器的抑制频率范围为3mhz～2000mhz；tdk开发的1005（0402）片式电感器的使用频率达到12ghz。
3．复合化和多功能化
在电子产品中经常有排线部位，如i/o排线。为了使用方便，节省pcb面积，加快表面贴装速度，一些片式emi对策元件已经阵列化。在1个封装内通常含有2、4、6、8个emi对策元件。此外，将不同功能的emi对策元件组合在1个封装内，达到多功能的目的。如将噪声抑制功能与静电放电保护功能组合在一起；将电容器与电感器或电阻器组合在一起；将共模噪声抑制与差模噪声抑制组合在一起等，都体现了向多功能化发展的趋势。
4．新材料和新元件
众所周知，尖晶石型软磁铁氧体和batio3基陶瓷材料在emi对策中占有十分重要的位置。近年来，又开发出一些新型材料，可用于抗电磁干扰，如6角晶系铁氧体材料、金属磁粉材料、非晶及超细晶金属磁性材料、高分子磁性材料、高分子介质材料、复合介质材料及纳米材料等。这些新型材料将在电磁兼容领域崭露头角，值得人们密切关注。
