4月27日消息 据国外媒体报道，本周四美光科技宣布，它与英特尔的合资企业im flash科技公司已经开发出处于行业领先水平的50纳米mlc(多层单元)nand闪存芯片样品。
美光称，与slc(单层单元)闪存组件相比，新的mlc 闪存组件体积更小，能量效益更高，能够更理想的使用在目前的计算和消费电子产品中。mlc 闪存组件的密度为16gb，而slc闪存组件的密度仅4gb。
英特尔nand闪存部门副总裁兼总经理randy wilhelm表示，我们与美光的合资公司提前开发出了行业中领先水平的米mlc芯片架构超过了我们先前的时间预期，去年七月份，我们首先在行业中开发出了50纳米slc 闪存样品，开发出行业中最先进的50纳米mlc架构进一步证明了我们的开发和制造实力。
