在与英特尔争夺下一代微处理器生产领先权的战斗中，amd正越来越倚重ibm，其支付给ibm的钱也是巨大的。
上周二，amd宣布ibm已成功生产出一款使用了euv技术（下一代远外线光刻）的工艺试验性芯片，此前，用euv技术制造的芯片部件均为“窄场”（narrow-field），即只能设计部分芯片区域，而ibm此次将芯片的第一层金属互联层都使用了这种技术。
为什么要使用euv？晶体管与连接它们的金属层大小直接与硅片（wafer）所使用的光刻技术的波长大小有关。euv光刻技术使用了13.5纳米波长，比现今193纳米级别的光刻技术波长短很多，这使得芯片可以继续朝微型化的功能方向继续迈进。euv目前的目标是22纳米芯片，预计这一代芯片将在3到5年内出现。几年前，英特尔曾经希望用euv制造出45纳米芯片，但它放弃了这一计划。
上周二的报告说，ibm和它的合作伙伴们印制了金属互联层的第一层（晶体管之间），然后经过其它步骤，euv设备结构在amd公司经过了了电子测试，晶体管的测试结果显示，这种技术制造的晶体管特性与使用更标准技术生产的测试芯片的晶体管特性一致。
过去6年的合作表明，ibm正在提供技术给amd。两家公司从2002年开始在芯片制造上合作，那时，amd在“绝缘层上覆盖硅”（soi）上碰到了问题。amd开始寻求ibm的帮助，从那以后，双方已经续签了几次合同。
第一次在2004年9月，合同内容包括截止到2008年的32纳米制造技术开发合作协议，然后是在2005年11月，双方将合作期限延长到了2011年，涉及项目为22纳米工艺技术。在其他领域，amd目前还与ibm在“高k/金属门”（high-k/metal gate）晶体管技术上合作，这种技术主要是为了生产32纳米芯片，英特尔目前在现有的45纳米芯片上也在使用这种技术。
这类专利技术可不便宜。amd最近的一次续签将双方的合同延长到了2011年12月31日，amd方面称：“我们预计，按照合同规定，我们将为2008年至2011年间的联合开发向ibm支付近4亿美元费用。”
即使要向ibm支付4亿美元，amd也觉得比自己研发来得划算，amd的人说：“终止这种合作将极大增加我们的研发成本，我们可能遭致产品延迟等问题。”
amd的挑战是，英特尔研发预算让amd的相形见绌。英特尔每年研发预算大约是60亿美元，amd只有其1/6。在制造领域，双方更是无法相比。光以45纳米级别芯片为例，英特尔计划拿出4个工厂来生产45纳米处理器，并且现在英特尔已经实现了45纳米芯片的商业生产，而amd甚至还未实现这一代芯片的商业生产，公司还需要ibm这样的制造大腕来帮助其运转。
合作的推动力部分是为了节省成本。amd与合约制造商chartered半导体公司的合作是节省成本的又一例子。分析师don scansen指出，amd无疑是第一家在研发，制造方面向外部公司求援的公司，不过amd如果坚持这样做的话，将继续受到分析师及股票市场的质疑，他说：“ibm承担起了大部分的开发工作。”
amd的一位发言人说：“ibm是amd制造与研发战略的重要部分。通过分担半导体工艺技术的研发成本，整个ibm联盟的成员，包括amd都将获得先进的制造技术。”
在其网站上，amd将晶体管，芯片连接，封装以及光刻技术都列为了可以向外寻求帮助的领域。大部分协作工作都在“albany纳米科技中心”进行。并不是巧合，albany也是amd计划修建一家芯片工厂的位置。amd方面最近表示，计划投资32亿美元修建一家芯片工厂，可能会从明年1月开工。
ibm在纽约fishkill东区拥有先进的制造生产线，距离albany大约90英里。
ibm与amd的合作表明，未来的芯片制造障碍将非常大，每家公司均是这种情况。象英特尔，也已经宣布推迟部署一项来自尼康的euv光刻技术。
从这一点来看，ibm和amd的euv进展对amd来说是一个好消息。scansen说：“amd获得这一技术五金|工具非常有意义。”有人曾经怀疑euv能否适用于22纳米芯片，ibm和amd的消息表明，这种技术开发工作正在复兴。
amd和ibm上周二宣布，下一步是为芯片制造提供各种euv光刻技术，使其不仅能够用于金属连接层，而且也能够适用于所有的关键层。
scansen说，在32纳米及其以下级别的芯片制造上，英特尔有其它的理念，即使用传统的光刻法以及“更聪明的设计”。英特尔正在积极向32纳米芯片迈进。去年12月，英特尔制造与运营部副总裁兼总经理brian krzanich发表声明说：“英特尔将在两个关键的芯片层上使用32纳米沉浸光刻(immersion lithography)技术。在其它不太关键的芯片层，英特尔将继续使用传统的干式光刻（dry lithography）法。”
