在日前举行的2007年ieee国际电子器件会议（2007 iedm）上，欧洲微电子研究机构imec公布了平面cmos及finfet器件最新研究进展。
imec表示，在32nm节点中，铪基高k介质及tac金属栅极的应用显著提高了平面cmos的性能；通过在栅介质及金属栅极之间增加一薄层电介质cap即实现了较低的阈值电压，nmos中的cap层可以是la2o3或dy2o3，对于nmos来说，铝是良好的薄层选择；另外，栅堆叠层的激光退火过程明显降低了极限栅长度增强了短沟道效益的控制。相同的工艺将有望应用于22nm finfet中。
这些成果是由imec十大核心会员（infineon, qimonda, intel, micron, nxp, panasonic,samsung, stmicroelectronics, texas instruments及tsmc）与imec cmos工艺重要伙伴（elpida与hynix）共同研发而取得的。
