相变内存(phasechangememory，pcm)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院iek-itis计划发表最新研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于feram与mram，在pcm领域发展机会较大。
工研院iek-itis计划分析师陈俊儒表示，相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体工艺技术，相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主；直到2000年后，相变化材料制作的相变内存无论是在专利布局、芯片试产及学术论文上开始有优异的表现。
其中一家pcm厂商ovonyx于1999年成立，将其pcm发展策略设定在智财(intellectualproperty，ip)商业模式，提供技术以推动pcm进入内存市场。陈俊儒指出，目前ovonyx拥有的他国专利申请数量是全球最多，美国专利数第二(仅次于micron)，还获得intel的投资，以及授权给st、elpida、samsung及qimonda等半导体大厂。
投资ovonyx的厂商intel还准备推出128mbpcm样品，并计划在2007年下半年采用90纳米技术进行量产。陈俊儒表示，这种称为alverstone的产品是intel的首款pcm产品，是与norflash兼容的替代产品。intel技术长justinrattner并曾指出，intel的理想目标是让128mbpcm成为norflash闪存的替代品，而该公司将持续最佳化pcm的量产工艺。
ovonyx的授权厂商samsung也将开始供应pcm的评估测试样品，该公司目前向多家大型手机厂商提供的是256mb和512mb的90nm产品。为了准备2008年上半年的量产，该公司还计划在2007年第2季和2007年年底，分别开始供应工程样品和商用样品。
陈俊儒表示，samsung是从2006年下半年开始量产90nm工艺norflash，落后于同期开始量产65nm产品的intel。为此，samsung希望以替代norflash为目的，尽早创造出pcm被采用的实际业绩，以便在与其它公司的竞争中占据领先地位。
根据itrs预测，pcm的cellsize于2011年将小于norflash，未来可望大规模取代norflash市场(营收约72亿美元)，未来市场潜力较feram和mram大。陈俊儒表示，目前先进厂商投入pcm的研发较晚，台湾地区厂商投入pcm研发者，相较于feram与mram反而来的多，多属于dram挥发性内存厂商。
因此陈俊儒认为，台湾地区厂商若是未来计划大规模切入非挥发性内存市场，相较于feram与mram，投入pcm研发是比较有机会的。
