在semiconwest展销会上，比利时研究机构imec宣布在32纳米光刻技术方面取得进展，两次图形曝光技术(doublepatterning)比其他技术发展更快。
imec认为32纳米光刻技术开发在去年取得了重大进展。其ceolucvandehove认为，由于需要为内存应用快速开发出32纳米工艺，根据所得到的研究结果，在单次曝光方案出现之前，两次图形曝光技术将成为32纳米半间距的(intermediate)方案。
imec采用三个途径推动32纳米研究：高指数193纳米光刻、193纳米水浸没式两次图形曝光技术和超紫外线(extremeultraviolet,euv)光刻。
imec正研究两次图形曝光技术面临的挑战，如掩模设计(maskdesignsplit)、性价比更高的工艺以及临界尺寸和套刻控制。imec的研究证实可获得低于3纳米的临界尺寸，这是32纳米生产的要求之一。
在浸没式光刻方面，imec将延长与asml的策略合作关系，并将安装数值孔径为1.35的新asmlxt:1900i，直至使数值孔径达到1.55到1.6的范围，使193纳米浸没式光刻适用于32纳米半间距制造节点。为获得更高的数值孔径，另一种液体可能将取代目前使用的纯净水。
imec非常明确euv是唯一可能扩展到22纳米以及更小纳米的技术。
