德国basffuturebusinessgmbh在2007年7月18日起召开的“有机材料科技展2007——有机科技展国际会议”上，介绍了适合于cmos技术的有机半导体材料的开发情况。与使用硅时相比，利用新开发的有机半导体材料和印刷技术，能够以低于cmos的成本，简单地制造出cmos电路。
basf举出的p型有机半导体材料为p3ht（聚3-己基噻吩）。印刷法制作的晶体管的载子迁移率为0.07cm2/vs，电流开关比为104左右。n型有机半导体材料为pdi8-cn2（n,n-dioctyl-dicyanoperylene-3,4:9,10-bis(carboximide，羧酰亚胺)）。利用印刷法制作的晶体管的载子迁移率为0.05～0.1cm2/vs，电流开关比方面，pdi8-cn2为106左右。p3ht和pdi8-cn2均已开始提供样品。
此外，新的p型和n型有机半导体材料还在开发之中。正在开发的p型材料在利用真空蒸着法制作晶体管时，载子迁移率仅为0.04cm2/vs，但电流开关比可确保在106左右。正在开发的n型材料在真空蒸着法制作晶体管时，载子迁移率为0.4cm2/vs，电流开关比为106左右。相对于溶剂的溶解度为40mg/ml，较pdi8-cn2的6mg/ml有所提高。今后，basf计划使p型和n型有机材料都能够通过使用溶媒的印刷法，得到与蒸着法相同程度的载子迁移率。
