由于超紫外线光刻技术(extremeultraviolet，euv)的发展迟缓，intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22纳米制造节点的可制造性设计。
intel正在开发的这种计算光刻(computationallithography)是一种反向光刻技术。反向光刻、euv和两次图形曝光技术是intel正在为22纳米制造节点进行评估的光刻技术。
自1980年代以来，反向光刻技术得到多家机构的开发，有望取代光学临近矫正(opticalproximitycorrection,opc)。反向光刻技术可能使euv技术不再有用，而且euv由于技术问题发展已经落后。
intel指望在2011年22纳米制造节点芯片开发中使用euv技术。euv工具要到22纳米制造节点后期才能提供，而且成本昂贵，需要7000万到1亿美元。
