近日，由中国科学院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“量子结构、量子器件的基础研究”通过了高技术局组织的验收。
该项目瞄准领域发展前沿，将新型量子器件研制与物理研究紧密结合，在物理原理、材料制备和器件结构与工艺等方面取得了多项创新性成果。gainas(nsb)/gaas单量子阱1.59 μm室温连续激射激光器在国际上属首次报道；1.06μm微腔增强型可调谐探测器8×8列阵的外量子效率等多项指标达到国际最好水平。
该项目的实施，对于深入研究量子理论中的共性基础问题、在量子基础理论与应用上取得重大突破具有现实意义。
