绝缘硅(soi)已成为高端微处理器和其它先进芯片的核心材料。by-wire技术器件，需要电容器较少的存储器件，双极cmos(bicmos)，电子标签(rfid)和微电机系统(mems)等新兴应用，预计会在近期提高对soi晶圆的需求。
“半导体产业一直努力满足人们对于更快速度和更低功耗的要求，而soi技术在实现这些目标方面正在发挥重要作用。”frost&sullivan的研究分析师jaysonkoh表示。“通过减少泄漏引起的损耗，soi设计可以大幅降低寄生电容和提高电流驱动。它还通过良好的器件绝缘使得器件能够更紧密地封装在一起。”
结电容和体效率降低，导致soi速度得到改善。因此，soi技术使得建立在soi晶圆基础上的产品比采用cmos工艺制造的产品领先一代。此外，soi比硅片更适合低功率和低电压应用，因为它具有较低的寄生结电容和优异的晶体管开关特性。
但soi晶圆成本较高，这妨碍了成本敏感的应用。另一方面，晶圆的供应一直是个问题。目前全球soi晶圆供应过低，而且由几家小型制造商所垄断。但是这种情况正在改善。
