eblana光子公司和vitesse半导体公司今天宣布达成合作协议，利用vitesse的4英寸inp集成电路装配线来制造低阈值单模激光二极管。
这两家公司准备采用已有的inpic生产设备和工艺来装配2.5-gbit/sec，单波长的激光二极管。这些激光器在温度t=25°c时，输出单波长激光，波长λ=1.54μm(micron)，阈值电流为12ma。发射功率为20mw时，其边模抑制比（smsr）好于40db。
vitesse计划使用其标准的vip-2inphbt工艺，结合eblana的可再生激光技术平台来制作激光器。按照这两家公司的说法，这种激光器的制造工艺具有划时代的意义，将对通讯行业产生重大影响:
•短期而言，它可以大幅度降低生产成本，这是因为这种工艺是借助于成熟的电子制造平台，仅仅利用ic制造工具和工艺，以及相关的工艺控制体制就能完成。
•该技术可实现人们所需的光子集成等级，推动fttp和gbe在接入和企业网络的发展。
•长期而言，通过将成熟的inp电路技术和突破性inp激光器技术相结合，则产生出更多新型器件和应用。
vitesse的副总裁raymilano先生表示：“eblana通过研制出一种类似dfb性能的，采用标准ic工艺制造的器件解决了激光器制造过程中的一个关键问题，另外，由于eblana的技术平台仅仅采用标准的电子设计规则和成熟工艺，那产品的性能和一致性都得到有效保证。这项技术也将对光收发器的制造产生重大而积极的影响。”
