飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)荣获《今日电子》杂志颁发2006年十大dc-dc产品奖。获奖的产品是30v同步降压转换器芯片组fds6298和fds6299s，该芯片组利用了最新的英特尔移动电压定位(intelmobilevoltagepositioning,imvp)技术规格，能大大优化笔记本电脑的效率和空间。
通过飞兆半导体的powertrench®mosfet技术，高端“控制”mosfet(fds6298)和低端“同步”mosfet(fds6299s)构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，fds6299s器件的单片电路syncfet™技术毋须使用外部肖特基二极管(schottkydiode)，因此能节省电路板空间和装配成本。
飞兆半导体在北京举办的“2006功率模块技术研讨会”的特别典礼上获颁这个奖项。这些奖项是为鼓励中国的电源技术应用而设立的。
飞兆半导体计算解决方案市务经理davidgrey称：“飞兆半导体powertrench技术支持的功能集能够提高效率。在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量，较高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，而且更可以是改善电磁兼容性或emi的指标。powertrench技术还减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，因此能减少信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，飞兆半导体的fds6298/fds6299s芯片组利用配对的集成式syncfet™器件，大大减少组件数目。”
这种集成式芯片组的米勒电荷(miller)或qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的qgd/qgs比，以限制交叉导通(cross-conduction)损耗的可能性。除了vcore设计之外，快速开关fds6298和低导通阻抗rds(on)fds6299s提供了配对使用的好处，非常适合于高端通信设备等应用中的大电流负载点(pol)转换器。
fds6298(高端)mosfet的主要性能特点包括：
低总qg(9nc@vgs=4.5v)和qgd(3nc@vgs=4.5v)，具有快速开关速度，能提高效率；
优化的芯片和引线框架设计，能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗；以及
规范的rg和经过全面测试的rg，可实现优良的漏源开关特性。
fds6299s(低端)mosfet的主要性能特点包括：
低导通阻抗rds(on)(3.9mohm(max)@vgs=10v)以减小dc损耗；
低体二极管损耗(低qrr和低前向电压降)以提高效率；
软恢复特性减少噪声，低crss减小交叉传导的可能性；
低总qg(31nc@vgs=5v)降低栅级驱动要求。
这些产品均采用无铅so-8封装，能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020b标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
fds6298/fds6299s同步降压转换器芯片组，是飞兆半导体采用创新技术来解决计算应用特定问题的又一范例。飞兆半导体提供多种互相配合的产品以满足今天的设计挑战，包括线性功率放大器、多相dc/dc控制器，以及ldo等多负载点(multiplepoint-of-load)产品。
