据美光科技公司nand开发副总裁弗朗基f.鲁帕瓦称，由于美光科技公司的50纳米制程nand闪存芯片计划在2007年年初投产，它打算在市场上展开更为积极的进攻，计划到2008年-2009年之间的时候将其市场占有率提高到10％以上。
鲁帕瓦称，50纳米制程4gbnand芯片的批量投产计划在7月底时就已经开始试生产了。 明年，美光科技公司将开始从im flash technologies公司的12英寸加工厂采购nand芯片，im flash technologies公司是它与英特尔公司在今年年初合资组建而成。该加工厂位于美国犹他州莱西市，计划月产能为20万件硅片。
莱西市加工厂和im flash公司在弗吉尼亚州曼拉萨市的另外一家生产厂所使用的nand闪存生产技术都是由美光科技公司在博伊西市的12英寸生产厂开发出来的。
美国科技研究所的分析师道格弗里德曼曾经预计im flash公司将在随后的三到四个月的时间里宣布再建一家生产厂，鲁帕瓦承认im flash公司确有此打算并且已经开始物色新生产厂的建厂厂址。
鲁帕瓦还说，美光科技公司非常自信，认为它在全球nand闪存市场上的占有率肯定会在2008年到2009年间超过10％。据isuppli公司统计数据显示，美光科技公司在2006年第一季度时的全球市场占有率为2.9％。
