瑞萨科技(renesas technology)日前宣布推出一种用于无线局域网(wlan)终端发射功率放大器的2.4ghz/5ghz双模硅锗(sige)mmic ha31010。
据介绍，ha31010在一个单芯片中集成了一个支持ieee802.11b/g无线局域网标准的2.4ghz频带放大器电路，以及一个支持ieee802.11a标准的5ghz频带放大器电路，以提供双模操作。与使用两个分立的2.4ghz和5ghz的瑞萨硅锗mmic相比，它可以使安装面积减少大约40%。
ha31010可实现硅锗mmic(单片微波集成电路)的高增益及据称是业界最低的电流耗散水平，在使用2.4ghz频带时，其功率增益为28db，电流耗散为130ma；在使用5ghz频带时，其功率增益为24db，电流耗散为160ma。
瑞萨利用硅锗cmos工艺将一个采用mosfet的切换电路集成到ha31010中，这有助于放大器电路在2.4ghz/5ghz频带之间的切换，并进行传输和接收切换，而无需增加一个外部切换器件。此外，其待机电流非常低，在0.1μa以下，这是其降低功耗的关键。
为了有效地达到无线局域网设备的低功耗要求，就需要一种可实现通信所需最小输出功率的自动输出功率控制功能。ha31010集成了一个作为实现该功能传感器的输出功率检测器电路，减少了元件数目，同时也缩小了占板面积。
ha31010封装采用小型表面贴装的24引脚wqfn0404(瑞萨封装代码)，尺寸为4.0×4.0×0.8mm。ha31010采用导电银浆材料以改善集成电路芯片裸片焊接的可靠性和传导率；此外，封装电极镀层采用了sn-bi(锡铋)，以实现完全的无铅封装。
ha31010样品计划于2006年6月从日本开始供货，日本市场价格(包括税金)为315日元。
