英飞凌的低导通阻抗MOSFET开关速度高达150V/ns

英飞凌(infineon)公司的coolmoscs服务器系列高压功率mosfet克服了硅的性能局限，其to-220封装的导通阻抗为99mw，to-247封装的导通阻抗为45mw，可承受600v电压。它们的开关速度为150v/ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。为实现低阻抗，电荷加在器件上实现电流传导，然后加反极性的等量电荷平衡，两种电荷在器件上隔离，并提供很细的间距，以此保证获得较低的导通电阻。由于需要的栅极驱动功率低，因而可使用低功率栅极驱动器和ic。