全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。
ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。”
这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成***率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。
100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。80v irf7854则可用于有源oring和热插拔应用。三款mosfet都是针对5-19v输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的，并可以作为18-36v输入的隔离式 dc-dc转换器的正激拓扑结构或推挽式拓扑结构的原边开关，在隔离式dc-dc应用中使用。
这些新型hexfet® mosfet现已供货，基本规格如下:
irf7853pbf
无铅so-8
100v
18mω
28nc
10nc
irf7854pbf
无铅so-8
80v
13.4mω
27nc
8.7nc
irf7855pbf
无铅so-8
60v
9.4mω
26nc
9.6nc
