SST和三星签署130纳米嵌入式闪存技术授权协议

闪存技术厂商超捷(silicon storage technology, inc., sst)和三星电子日前宣布,双方已签署了一项新的技术授权协议,该协议将为三星提供先进的深亚微米嵌入式闪存技术。

根据该协议,三星将授权使用sst的超快闪(superflash)技术,并将其应用于三星130纳米技术节点中的高容量、高密度的嵌入式闪存和asic产品,如三星最近推出的2mb嵌入式闪存s3fj91l智能ic卡。与三星签署这一新的授权协议巩固了双方的长期合作关系,。通过签署这一新的技术授权协议,三星率先成为将sst的superflash技术用于130纳米技术节点产品的被授权商。

sst表示,目前市场上已有超过21亿家第三方公司采用了其闪存技术,superflash的成功归因于其可靠性、低功耗以及与cmos逻辑程序的兼容性。此外,sst已经与三星和全球代工合作伙伴等公司形成了稳固的合作伙伴关系,从而使superflash技术能够在该行业得到广泛推广。

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发布日期:2019年07月04日  所属分类:新闻动态