报载Hynix拟提高明年NAND产量 削减DRAM产量

根据韩国经济日报引述hynix未具名经理人报导，在消费电子制造商需求攀升下，hynix明年将提高nand闪存产量比重，由目前的30%提高至40%。

报导中表示，hynix将降低动态随机存取内存(dram)产量，以增加nand闪存产量。

根据世界半导体贸易统计协会 (worldsemiconductor trade statistics)，明年全球nand闪存销售将攀升28%，至130亿美元。相较之下，dram料衰退1%，至260亿美元。