三星电子6日表示，已成功开发出全球容量最大的手机用缓冲存储器－256mb utram（uni-transistor ram），将在本月开始供应样品给主要的手机业者，并计划自今年年底开始量产。
utram为三星电子自行定义的商品名，业界一般称之为pseudo sram。
过去业界主要系以低功率sram做为手机的缓冲存储器，然受限于其cell构造（需要6个transistor），芯片体积大，容量难以扩大，以致在需求大容量的新一代mobile产品上，业界多以较sram容量更大的pseudo sram做为缓冲存储器。
特别是在3g手机等先进mobile产品方面，为处理3d graphic，更需要128mb以上的大容量缓冲存储器。而三星电子此次开发的256mb utram，将可有效解决此一问题。
到目前为止，三星电子推出的sram与utram（72mb sram与128mb utram），均为业界容量最大者。
三星电子此次推出的256mb utram，其工作电压为1.8v，动作速度达266mbps，较既有产品快1.7倍。
三星电子相关人员表示，由于此一utram同时支持sram与闪存架构芯片组，预期未来将有机会成为手机用缓冲存储器市场的主力产品。
另外，根据dataquest的预估，2008年时全球pseudo sram市场规模将达近逼整体sram市场的24亿美元，并维持年均33％的高增长。
