美国amd与日本富士通合资成立的闪存公司spansion llc发布消息指出，采用110nm半导体制程制造的闪存“mirrorbit”将委托台湾的tsmc生产。tsmc将负责以mirrorbit架构为基础、110nm制程之移动电话用闪存产品系列“gl”、“pl”、“wl”，以及逻辑lsi混合用途的“gl”系列的生产。mirrorbit为在1个记忆单元可储存2bit信息的闪存技术，具有较现有闪存制程简单的特征。针对spansion产品，tsmc已准备了专用生产线，在110nm制程的因应上预定将分阶段性进行。第一阶段spansion之110nm“mirrorbit”产品将以8英寸晶圆生产，投入量产的目标时间为2006年第二季。
