欧洲最大的芯片生产商英飞凌(infineon)日前宣布，它与台湾南亚科技的合资公司华亚半导体开始向90纳米dram生产过渡，而且英飞凌已经有5%的dram全球产量转为90纳米工艺。
由英飞凌和南亚科技在英飞凌德国德累斯顿研发中心联合开发的90纳米dram技术成功通过认证。两家公司联合开发的90纳米内存产品获得了主要客户的认可，并通过了英特尔的验证。在英飞凌公司德累斯顿300mm晶圆生产线上，90纳米dram产品已经开始批量生产。作为全球第二个引进90纳米技术的dram制造商，英飞凌在5月底之前已经成功将其dram全球产量的5%从110纳米工艺转换成90纳米工艺。英飞凌和南亚科技的合资公司台湾华亚半导体公司现在已经开始向90纳米技术转型。提前采用新一代技术将大幅降低生产成本，提高产品性能，同时也是提高dram生产盈利能力的最重要因素之一。
据介绍，与先前的110纳米工艺相比，90纳米工艺进一步缩小了芯片尺寸，从而使每片晶圆的芯片产量可以增加30%以上。缩小芯片尺寸和使用300mm晶圆实现的生产率提高是芯片生产成本大幅下降的基础。英飞凌和南亚科技的联合开发还包括下一代70纳米制程技术。
“采用90纳米工艺生产的dram产品成功通过认证，是我们在取得产品和技术领袖地位和提高dram生产率的道路上的一个重要里程碑，”英飞凌公司管理委员会成员兼英飞凌内存产品事业部总裁andreas von zitzewitz博士表示。
据悉，90纳米工艺结构的推出在很大程度上得益于110纳米时代先进的193纳米光刻技术。193纳米光刻技术是缩小工艺结构不可或缺的因素。通过引进所谓的“棋盘单元阵列(checkerboard cell array)”， 只要利用标准的表面增强方法，而不需要运用复杂的高k电介质，就可以实现卓越的存储容量。
除了成本优势之外，采用更小的工艺结构是生产用于移动世界的高速、低功耗ddr2和ddr3 sdram的关键。随着第一件产品512mb ddr sdram通过客户认证，英飞凌和南亚科技据称成为业界第二家采用90纳米技术生产dram的制造商。512mb ddr2 sdram相关系列产品预计在2005年下半年推出。包括256 mb ddr2和1g ddr2在内的其他产品将在稍后推出。
