amd、ibm、索尼(sony)和东芝(tohiba)公司的工程师们最近开发出一种应变硅(strained-silicon)晶体管技术，称为“dual stress liner”。amd声称，这种技术可改善晶体管性能。
这些工程师在日前于美国旧金山(san francisco)举行的国际电子器件会议(iedm)上发表了一篇有关应变硅片晶体管技术的论文。amd称，该公司与ibm公司都期望在2005年上半年将该技术应用于90nm制造中。
amd没有提及索尼和东芝是否或何时将采用这一技术。amd称，这一工艺的开发使得在相同功率水平下晶体管的“速度”可比不用此技术制造的同类晶体管速度提高达24％。这一工艺据称也使amd和ibm成为率先将应变硅引入绝缘硅(soi)技术的公司。
amd称将把dsl应变硅技术整合到其所有90nm制造工艺技术中，包括用于未来多内核的amd64处理器的工艺。第一款采用该技术的90nm amd64处理器有望在2005年上半年出货。同样，ibm也计划将该技术引入多个90nm处理器平台，包括基于power architecture的芯片，第一批产品也将于2005年上半年开始出货。
（转自 电子工程专辑）
