美国司法部近日表示，又有三位dram厂商的高管被指控在2001-2002年期间卷入dram价格操纵案。其中有两位是三星电子的韩国公民，另一位是海力士(hynix)旗下美国子公司的美国公民。起诉书指控hynix america的内存销售高级副总裁gary swanson，以及三星内存部门的高管il ung kim和young bae rha在2001年4月-2002年6月15日期间参与了操纵dram内存芯片价格的共谋。
到目前为止，一共有16人被控参与了与dram价格操纵共谋有关的刑事犯罪，此前遭到指控的13人已经认罪，并被判入狱服刑和缴纳罚金。
美国司法部一直在调查1999-2003年dram制造商的价格操纵问题。迄今罚金总额超过7.31亿美元。美国司法部表示，7.31亿美元的罚款是该部从单件价格操纵共谋案件中所收取的第二高罚款。1999年，美国司法部曾对参与维生素产业价格操纵的两家公司罚款7.75亿美元。
kim、rha和swanson均被控违反了美国的谢尔曼反垄断法(sherman antitrust act.)，面临的最高刑期是入狱三年外加35万美元罚金。上月长期担任三星旗下美国公司samsung semiconductor高管的thomas quinn也认罪，被判服刑八个月并支付25万美元罚款。
三星电子(samsung electronics)的三名高管在今年3月已同意认罪。德国英飞凌和韩国海力士(hynix semiconductor)一共有8人认罪，并被判入狱五到八个月，每人支付25万美元罚款。美光(micron technology)的一位高管则早在2003年12月承认妨碍司法并被判软禁六个月。
去年10月三星接受美国对其操纵价格的指控，同意支付3亿美元罚金。韩国的hynix semiconductor在去年4月认罪，并同意支付1.85亿美元的罚款。德国英飞凌(infineon technologies)在2004年9月同意支付1.6亿美元的罚款。今年1月份，日本厂商elpida memory同意认罪，并支付8,400万美元的罚款。
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