南韩大厂三星电子（samsung electronics）迈向晶圆代工先进制程传出捷报，日前宣布65奈米低电压制程已经通过12寸晶圆厂认证，并已作好准备，仅待客户投单，三星力追台湾晶圆双雄技术优势，期盼以先进制程吸引客户青睐。另一方面，据cnn magazine报导指出，英特尔（intel）、美光（micron）合资成立的快闪记忆体（flash）公司im flash technologies，已经将50奈米制程技术打造的nand型flash晶片送样，未来将进一步威胁在nand型flash市场领先的三星与日厂东芝（toshiba）。
三星半导体晶圆代工事业技术副总裁ana molnar hunter表示，该公司先进的制程技术，不但能够保持低耗电以及高产出的量产效率优势，同时为客户整合更多功能。
三星表示，位在南韩器兴（giheung）的s1产线到2007年以前将持续扩产，而目前该产线足以为客户提供高产出的晶圆代工业务；此外，针对三星与ibm、特许半导体（chartered semiconductor）之间的“跨晶圆代工”（cross-foundry）伙伴关系，三星亦表示，其65奈米程技术可与drc、lvs连结，其dfm亦与ibm、特许成立的共同平台（common platform）相容，可让客户拥有多方晶圆代工来源。
身为亚洲重量级科技大厂，三星对于晶圆代工市场兴趣浓厚，曾宣布拟于2012年前斥资330亿美元，打造全球最大规模半导体制造聚落，并且在2005年底获得手机晶片大厂高通（qualcomm）代工订单，三星拟以90奈米制程为高通打造晶片。
负责晶圆代工业务的系统lsi（large-scale integration）事业近来扩产积极，近2年该事业的资本支出均接近1兆韩元，并在2006年5月宣布斥资2,909亿韩元提升产能。
目前晶圆代工大厂如台积电（2330）、联电（2303）已在2006年相继导入先进65奈米制程，如今三星亦宣布65奈米制程到位，明显看出三星不愿落后的企图心，期盼在技术上力追晶圆双雄。
另外，在记忆体厂nand型flash制程竞赛方面，im flash近日传出已将50奈米制程的nand型flash晶片送样，这是im flash在2005年11月成立以来最重要的发展，这款新的nand型flash每颗容量为4gb，预计在2007年即可量产出货，预料将会对三星与东芝造成威胁。由于前几天三星才刚宣布，将以60奈米制程量产8gb nand型flash，im flash积极抢进50奈米制程nand型flash的动作无疑具有震撼意义。
美光记忆体副总裁brian shirley表示，该公司自2004年开始进入nand型flash市场，一直采用的是90奈米制程来打造nand型flash，如今透过与英特尔的合作，现在能够领先业界推出最先进技术的产品。目前英特尔是全球第二大的nor型flash制造商，但没有nand型flash领域的发展经验，透过与全球第五大nand型flash厂美光的合作，英特尔虽然是nand型flash领域的后进者，但态度颇为积极。
