但定位纯记忆体公司 未来仍需面对市场波动的风险。
据金融时报（ft）报导，随着南韩半导体大厂海力士（hynix）在2005年顺利拿下dram亚军宝座，以及nand型快闪记忆体（flash）全球市占率达12.7％的佳绩，海力士策略计画资深副总裁kwon oh-chol在接受访问时，表示海力士的秘密武器为效率，藉由增加厂房和员工产能，在短短的时间内即让对手造成极大的压力。
海力士近几年来脱胎换骨，由1家濒临破产的半导体厂商，经过一番阵痛改造期，并在2005年藉由nand型flash和成功的产品组合一跃而起，过程有如戏剧化的转变，而带领海力士成功的最大利器即为“效率”，使海力士成为全球最具成本效益的半导体厂商。
报导指出，3年前海力士每月仅能产出22.5万片记忆体晶圆，然而如今月产能已经增加1倍，其中士位于南韩利川（ichon）、由8寸厂改建而成的首座12寸厂m10，即为海力士如何简化生产流程、事半功倍的最佳实例，m10在2004年10月仅能生产4,000片12寸晶圆，然而到了2005年第三季时月产能已升至2.5万片，预计在2006年底月产能目标上看5万片。
根据市调机构gartner报告指出，2005年营收攀升23.4％，达57亿美元，成长速度飞快，年度营运获利率高达27％，在众多记忆体厂商中仅次于三星电子（samsung electronics）。相较之下，其他记忆体厂商的获利表现则逊色许多，美光（micron）营运获利率仅达2％，而尔必达（elpida）和英飞凌（infineon）则为呈现负数，分别为-2％、-10％。
另在nand型flash市场上海力士亦节节进攻，2005年拿下12.7％的市占率，仅次于三星电子和东芝（toshiba），外界并预期海力士与东芝差距日益接近。
海力士并预备藉由投入大笔资金带动下一波成长动力，日前宣布2006年资本支出高达3.6兆韩元（约36亿美元），并以策略联盟的方式扩建产能，包括与意法半导体（st microelectronics）在大陆无锡合建的8寸和12寸厂，并与台厂茂德（5387）合作，取得12寸厂产能；此外，海力士并预估未来7年内斥资200亿美元，可能会再以融资方式进行扩张。
不过报导指出，虽海力士表现亮眼，力图追赶三星，然在资本支出上仍是小巫见大巫，三星2006年记忆体事业资本支出达4.58兆韩元（约46亿美元），未来7年预期投入资金高达330亿美元。另外，投资机构雷曼兄弟分析师指出，由于海力士已为纯记忆体公司，因此面对记忆体市场波动振荡的景气循环，海力士前景仍具风险性。
近来flash价格下滑迅速，引发业界对于担忧flash产业恐提前出现供过于求的景况，亦使得海力士股价向下滑落。不过kwon对此仍抱持乐观态度，表示2006年市况虽不如2005年，但仍将是个好年。
