自从2004年以来，全球nand型快闪记忆体（flash）连续发烧2年，业界咸认未来几年还将持续高动能成长，美国记忆体大厂美光（micron）自2005年底宣布将与英特尔（intel）成立合资事业生产nand型flash，日前又宣布记忆体管理团队大搬风，一来锁定手机大厂为目标市场，二来也向韩厂下战帖，寄望藉英特尔之助，在美光前后2座12寸厂产能开出下，一跃而为nand型flash市场要角。
市调机构isuppli最新公布2005年第四季全球nand型flash供应商排名，三星电子（samsung electronics）依旧雄据榜首，市占50.4％，日厂东芝（toshiba）市占遭侵蚀严重，仅达19％，南韩海力士（hynix）进一步攀升至16.8％，前3强市场比重逾85％，包括美光等厂仅能分食剩余的15％市占，就地区论，韩厂囊括全球市场逾65％，更让美光眼红。
美光此番重整管理团队，寄望在2～3年内，抢得全球快闪记忆体市场显著比重，执行长steven appleton不讳言指出，以自行生产nand型flash而言，美光的经济规模太小，市场优势相对薄弱，与英特尔合资之后，将可迅速策略结盟、加速扩大全球市占的速度。
据指出，美光目前以爱达荷州晶圆厂提供nand型flash产能，预计2006～2007年间，将陆续提供维吉尼亚州与犹他州2地的12寸厂产能，估计以2005年全球nand型flash平均位元成长率300％而言，推估未来几年平均位元成长率仍将高达100～200％之间。
此外，美光此番整合行动记忆体与系统记忆体事业，亦是打算以一次购足、全方位手机记忆体解决方案吸引手机大厂的青睐，以目前美光位居全球影像感测器前3强之优势，再加上美光在手机用利基型dram、nand型flash方面的深耕，未来随着全球手机市场持续高度成长，美光亦可趁势追击，由此看来，韩厂恐怕得要小心美光的来势汹汹。
