美国飞思卡尔半导体（freescalesemiconductor）与法国soitec集团，在“2006symposiumonvlsitechnology”上发表了一项新技术，通过向形成于具有双轴性变性的soi（silicononinsulator）底板上的晶体管施加由工艺导致的单轴性应变，以提高晶体管的性能。通常，用这种方法难以同时提高nmos和pmos二者的性能，此次采用特殊的离子嵌入技术和退火工艺解决了这一问题。
目前的应变si技术，大多是利用sin覆盖层等的应力，沿晶体管的沟道方向施加单轴性应变，这种情况下栅长较长的晶体管会产生应变减弱的问题。对此，如果使用在晶圆面内的x、y方向上分别具有应变的应变soi底板，则无论栅长如何，均可外加基本稳定的应变。然而，此时nmos或pmos中任意一方的性能改善率将会下降。原因是，若要提高性能，nmos需要有拉伸应变，pmos需要有压缩应变。
只在pmos侧减轻拉伸应变
此次使用了在晶圆面内的x、y方向上分别具有拉伸应变的soi底板。这种情况下，nmos可以通过使用sin覆盖层进一步施加拉伸应变而实现高性能化。另一方面，需要压缩应变的pmos在这种情况下难以实现高性能化。于是，引进了只在栅极形成化的pmos区域选择性地实施离子嵌入和退火，以减轻soi底板的拉伸应变的工艺。在这种工艺中，nmos区域的拉伸应变几乎不产生変化。在pmos区域，首先减轻由soi导致的拉伸应变，然后通过sin覆盖层以及嵌入的sige源极和漏极施加压缩应变。
通过试验结果确认了，在nmos方面，与只在sin覆盖层外加应变的soi底板相比，通过引进应变soi底板，饱和漏电流增加了18％。在pmos方面也已确认，相对于组合使用应变soi底板和嵌入式sige时的情况，通过减轻应变soi底板的拉伸应力，饱和漏电流增加了16％。
