飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术，作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta > 1.3)和极短的反向恢复时间(trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管，具有很快的反向恢复时间(trr < 35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf < 2.1v)，有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。
stealth ii / hyperfast ii + unifet的组合优化pfc设计
lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm和dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265 ohm @ vgs = 10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。
superfet frfet用于高效、可靠的主开关设计
现在的lcd tv smps必须在开关模式工作中降低功耗，并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的superfet快速恢复mosfet (frfet)产品便经过优化以满足这种设计要求。结合superfet技术和控制少子寿命的工艺，superfet frfet能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性，以及降低其emi。举例说，最新一代fcpf11n60f器件具有trr = 120ns & qrr= 0.8μc以及高达50v/ns dv/dt的能力。这些先进的mosfet甚至在最先进的llc半桥转换器中也能够提高效率和可靠性。(参见下表中全部的superfet frfet产品组合。)
飞兆半导体功能功率解决方案副总裁taehoon kim 称：“作为功率专家，飞兆半导体可提供完整的功率器件解决方案，以实现高可靠性、高能效和低噪声的lcd tv电源设计。为了实现这些系统优势，我们量身定做出全新的stealth ii 和 hyperfast ii二极管，并与现有的技术相结合，藉此彰显出飞兆半导体利用已获公认的产品和设计专业技术，来协助工程师面对和解决不断增加的设计挑战。”
全新stealth ii和hyperfast ii产品采用采用无铅封装，能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。有现货供应，交货期为收到订单后12周内。
