有关新型非挥发性内存的发表只有pram的4项与reram的3项。在日前召开的“21th nonvolatile semiconductor memory workshop（nvsmw 2006，第21届非挥发性半导体内存学会）”上，曾经是各类新型非挥发性内存研讨会主角的mram和feram却没有发表，相关讨论将全部集中到了进入2000年以来开发工作日渐活跃的pram和reram内存上。
海力士看好pram，富士通发表reram
在2005年12月召开的“2005 ieee international electron devices meeting（2005 iedm）”会议上，就曾设立“resistive switching memory”独立研讨会，pram和reram成了新型非挥发性内存研讨会的主角。此次学会延续了这种趋势。
尤其是pram尽管离英特尔在“2001 iedm”会议上所做的首次发表尚不足5年，但韩国三星电子与意法半导体已经准备于2007年～2008年面向混载领域进行投产。韩国海力士半导体也已把pram定位于“最有可能取代混载领域用nor型闪存的产品”（此次参加会议的技术人员），因为它不仅易于微细化，而且数据写入速度快。除第一天意法半导体就取代闪存的可能性发表了主题演讲外，第三天由ibm和美国斯坦福大学及日本金泽大学等发表了最新成果。
作为reram，在“2002 iedm”上夏普进行了首次发表。由于尚未弄清其工作原理，因此业界普遍认为其实用化要等到2010年以后。但从事reram开发的内存厂商却在急剧增加。此次，富士通与韩国光州科学技术院（gwangju institute of science and technology）推出了新的工作机理假说，以及记忆元件材料方案。
