厌倦了在nand快闪记忆体市场当旁观者，台湾记忆体制造业者开始向此蓬勃发展的业务领域大举进攻。
包括南亚(nanya)、力晶(powerchip)和茂德(promos)等dram厂商，近年来发表了不少进军nand市场的声明，但几乎毫无战绩。显然这些dram业者入场时机已晚，主要是因为缺乏必要的专利和技术与人竞争。
因此，台湾业者看起来偏向采取较安全的快闪记忆体代工策略，这样供应商可以为其它公司制造元件。不过，目前至少有两家雄心勃勃的台湾业者，正摩拳擦掌期望在nand市场留名。
力晶在今年稍早获得日本瑞萨(renesas)技术授权，将开始销售一种nand元件系列产品ag-and；瑞萨则已宣布退出nand市场。而茂德则宣布了更大的成就，宣称已试产台湾首款自有nand快闪记忆体元件；根据市调机构gartner透露，该款1gb nand元件采用130nm制程，在茂德的200mm厂生产。
该技术要投入市场竞争还差得远，但茂德计划加快研发脚步跟上水准。gartner分析师ben lee表示：“茂德在2007年上半年之前并没有量产130nm nand快闪记忆体晶片的计画；而为因应市场需求，promos会推出采用300mm晶圆、次60nm制程，大于16gb的记忆体晶片。”
lee并未再针对茂德产品进一步透露详情；他表示，茂德在去年动土兴建期第二座300mm晶圆厂，该公司并表示其第三座300mm晶圆厂已在规划中，而这第三座晶圆厂应会成为茂德快闪记忆体的生产基地。
力晶除已取得瑞萨授权，将开始销售ag-and快闪记忆体产品，目前亦正与旺宏(macronix)进行合作，除买下旺宏的12寸晶圆厂房(参考连结)，双方并将联手开发90奈米的高密度快闪记忆体。至于南亚虽表示有意跨足nand领域，但并未公开任何快闪记忆体产品计画。
总之台湾厂商能否与hynix、im flash、三星(samsung)、东芝(toshiba)及其它nand厂商相抗衡，目前还难见分晓，然而分析师表示，如同dram一样，台湾仍可能成为nand领域的利基型玩家；而考量到该市场目前面临的价格下跌趋势，台湾厂商也可能会将跨入的时间点延后。
