三星电子(samsung electronics)日前宣布，它已开发出一种芯片三维封装技术，基于其专利晶圆级堆叠工艺(wsp)。三星的wsp技术采用“si贯通电极”(through silicon via)互连，实现了用于手机和其它产品的一系列小型混合式封装。
该公司的第一款3d封装由一个16gb内存解决方案组成，在同一个单元中堆叠了8个2gb nand芯片。三星表示，该技术是目前多芯片封装(mcp)尺寸更小的版本。三星的wsp原型样品垂直堆叠了8个50微米的2gb nand闪存裸片，高度为0.56毫米。
初期，三星将在2007年初把其wsp技术用于生产面向移动应用和其它消费电子基于nand的存储卡。随后，它将把这项封装技术用于高性能系统封装(sip)解决方案，以及包括服务器dram模块在内的高容量dram堆叠封装。
