nec电子近日完成了8款用于汽车的p沟道功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。
此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中np50p04等4款产品为40v耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60v耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。
新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有所差异，其中np50p04(40v耐压、导通阻抗9.6mω)的样品价格为150日元/个。批量生产将从2007年年底开始，生产规模预计可达50万个/月。
此次推出的8款新产品的共通特征如下：
(1)采用jedec标准的小型封装(to-252)
此次推出的新产品均采用了jedec标准的小型封装——to-252封装，to-252封装与以往jedec标准的to-263封装相比，封装面积减小了一半，因此更有助于用户实现控制单元的小型化。
(2)符合aec-q101 stress test品质认证标准
此次推出的新产品均符合aec(automotive electronics council)-q101规定，可保证tch(max)＝175℃的额定温度。aec-q101为1995年jedec会议上为实现汽车电子设备用分立半导体品质标准化而设置的应力测试规范。
其中，40v耐压品还具有以下特征：
(3)40v耐压、低导通阻抗
nec电子此次不仅有效地利用了在n沟道产品中积累的经验，还采用了0.25μm工艺，实现了40v耐压、导通阻抗可达业界最小水平——9.6mω的p沟道产品。除了导通阻抗为9.6mω的产品之外，此次推出的产品中还包括导通阻抗为18mω、30mω、45mω的产品。
60v耐压品还具有以下特征:
(4)与以往的产品相比，低导通阻抗值最大可减至一半(4款产品)
此次推出的产品采用了比以往使用的0.5μm工艺更微细化的0.25μm工艺，实现了16.5mω的低导通阻抗，该导通阻抗约为以往产品的一半。除此之外，此次推出的产品中还包括导通阻抗为30mω、50mω、75mω的产品。
