控制晶片在记忆卡或是随身碟上，角色本来就位居枢纽，然当整个nand型快闪记忆体（flash）产业的主流从slc（single-level-cell）制程转换至mlc（multi-level cell）制程后，由于mlc制程品质不佳，控制晶片更需负担起辅佐及弥补nand型flash晶片功能的角色，也就是说，控制晶片身上背负的压力将越来越沈重，尤其是随着nand型flash制程演进，品质越来越差，控制晶片的出错率因此大增，对于设计业者而言，都相当战战兢兢，深怕一个小环节出错，将全盘皆输。
对控制晶片业者而言，nand型flash产业是一个蓬勃发展，然却是随时都在变动的环境，技术的翻新、制程的提升、各家nand型flash晶片的设计相异度，都深深牵动控制晶片的生命，设计业者必须随时盯紧进度、跟上脚步，以免被淘汰出局。
若是终端产品有问题，不会有模组厂指责是三星电子（samsung electronics）、海力士（hynix）的nand型flash产品不好，而是第一时间找上控制晶片业者解决，因此有业者戏称，这一行简直是服务业，必须随时待命，随时在做售后服务，然赚取的却只是1颗晶片0.5美元的微薄利润，这是都是非技术性的门槛。
随着nand型flash产业龙头三星全力发展mlc制程，三星在摸索的过程中，产品的品质一直是很不稳定，这让控制晶片业者的责任加重，也让此产业这些技术门槛和非技术门槛越筑越高。
这次三星63奈米制程在控制晶片的支援度上难度大增，不少知名业者都被点名，着实让设计业者捏了把冷汗，类似此事件一发生，小则赔偿客户的损失，大则是蒙受订单移转的后果，而对于前者，要1家设计业者去赔偿终端产品的价格损失，也是一道不小的难题。
